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BFG480W,115

BFG480W,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4


艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin 3+Tab CMPAK T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Newark:
Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 4.5 V, 21 GHz, 360 mW, 250 mA, 60 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R


Win Source:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R


BFG480W,115中文资料参数规格
技术参数

频率 23000 MHz

极性 NPN

耗散功率 360 mW

击穿电压集电极-发射极 4.5 V

增益 16 dB

最小电流放大倍数hFE 40 @80mA, 2V

额定功率Max 360 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BFG480W,115引脚图与封装图
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在线购买BFG480W,115
型号 制造商 描述 购买
BFG480W,115 NXP 恩智浦 Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R 搜索库存
替代型号BFG480W,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFG480W,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: CMPAK NPN 360mW

当前型号

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

当前型号

型号: BFG480W,135

品牌: 恩智浦

封装: SC-82A 360mW

完全替代

射频RF双极晶体管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz

BFG480W,115和BFG480W,135的区别

型号: BFG480W

品牌: 恩智浦

封装: SOT-343

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BFG480W,115和BFG480W的区别