BLF6G27-10,112
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NXP
恩智浦
主动器件
BLF6G27-10,112中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.256 Ω
漏源击穿电压 65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-975-2
外形尺寸
长度 6.9 mm
宽度 6.9 mm
高度 3.63 mm
封装 SOT-975-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G27-10,112引脚图与封装图
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在线购买BLF6G27-10,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G27-10,112 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3Pin CDFM Bulk | 搜索库存 |
替代型号BLF6G27-10,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF6G27-10,112 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-975B-2 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3Pin CDFM Bulk | 当前型号 |
| 型号： BLF6G27-10G,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 功能相似 | RF Power Transistor, 2.3 to 2.7GHz, 10W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-975C | BLF6G27-10,112和BLF6G27-10G,112的区别 |
| 型号： BLF6G27-10G 品牌： 恩智浦 封装： CDFM | 功能相似 | WiMAX的功率LDMOS晶体管 WiMAX power LDMOS transistor | BLF6G27-10,112和BLF6G27-10G的区别 |