BLF3G21-6,112
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NXP
恩智浦
主动器件
BLF3G21-6,112中文资料参数规格
技术参数
频率 2 GHz
额定电流 2.3 A
漏源极电压Vds 65 V
输出功率 6 W
增益 15.5 dB
测试电流 90 mA
封装参数
封装 SOT-538
外形尺寸
封装 SOT-538
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF3G21-6,112引脚图与封装图
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在线购买BLF3G21-6,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF3G21-6,112 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.3A 3Pin CDIP SMD Bulk | 搜索库存 |
替代型号BLF3G21-6,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF3G21-6,112 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-538A | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.3A 3Pin CDIP SMD Bulk | 当前型号 |
| 型号： BLF3G21-6 品牌： 恩智浦 封装： CDIP | 功能相似 | UHF功率LDMOS晶体管 UHF power LDMOS transistor | BLF3G21-6,112和BLF3G21-6的区别 |