BSH201,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSH201,215中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 417 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids -300 mA
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 70pF @48VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, 工业, 计算机和计算机周边
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSH201,215引脚图与封装图 
BSH201,215引脚图
BSH201,215封装焊盘图
在线购买BSH201,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH201,215 | NXP 恩智浦 | NXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V | 搜索库存 |
替代型号BSH201,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH201,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel -60V -300mA | 当前型号 | NXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V | 当前型号 |
| 型号： NDS0605 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -60V 180mA 5ohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0605 晶体管, MOSFET, P沟道, 180 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -1.7 V | BSH201,215和NDS0605的区别 |
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