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BSC16DN25NS3 G

BSC16DN25NS3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC16DN25NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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Industry’s lowest R DSon
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Lowest Q g and Q gd
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World’s lowest FOM RoHS comliant − halogen free MSL 1 rated

Benefits:

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Highest efficiency
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Highest Power density
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Lowest board space consumption
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Minimal device paralleling required
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System cost improvement
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Enviromentally friendly
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Easy-to-design-in products
BSC16DN25NS3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.146 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 920pF @100VVds

额定功率Max 62.5 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated DC-DC converters, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC16DN25NS3 G引脚图与封装图
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BSC16DN25NS3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC16DN25NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存