BSP295
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSP295中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.22 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
上升时间 9.9 ns
输入电容Ciss 295pF @25VVds
下降时间 9.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Onboard charger
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP295引脚图与封装图
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在线购买BSP295
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP295 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSP295 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V | 搜索库存 |
替代型号BSP295
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP295 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 60V 1.7A | 当前型号 | INFINEON BSP295 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V | 当前型号 |
| 型号： BSP295L6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 60V 1.8A 368pF | 功能相似 | SIPMOSï ????小信号三极管 SIPMOSï Small-Signal-Transistor | BSP295和BSP295L6327的区别 |
| 型号： BSP295E6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 50V 1.8A | 功能相似 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | BSP295和BSP295E6327的区别 |