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BSF030NE2LQ

BSF030NE2LQ

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSF030NE2LQ  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BSF030NE2LQ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 1700pF @12VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 MG-WDSON-2

外形尺寸

长度 4.88 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.7 mm

封装 MG-WDSON-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSF030NE2LQ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSF030NE2LQ Infineon 英飞凌 INFINEON  BSF030NE2LQ  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号BSF030NE2LQ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSF030NE2LQ

品牌: Infineon 英飞凌

封装: WDSON-2 N-Channel 25V 24A

当前型号

INFINEON  BSF030NE2LQ  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: BSF030NE2LQXUMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 25V 24A

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INFINEON  BSF030NE2LQXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

BSF030NE2LQ和BSF030NE2LQXUMA1的区别

型号: BSF024N03LT3GXUMA1

品牌: 英飞凌

封装: MG-WDSON-2 N-CH 30V 15A

功能相似

WDSON N-CH 30V 15A

BSF030NE2LQ和BSF024N03LT3GXUMA1的区别

型号: BSF050N03LQ3G

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

OptiMOS3功率MOSFET OptiMOS3 Power-MOSFET

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