BSP315P
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSP315P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 800 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.17 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Onboard charger
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP315P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP315P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP315P | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V | 搜索库存 |
替代型号BSP315P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP315P 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 P-Channel -60V 1.17A | 当前型号 | INFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V | 当前型号 |
| 型号： BSP315PL6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 60V 1.17A 160pF | 完全替代 | 60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET | BSP315P和BSP315PL6327的区别 |
| 型号： BSP315 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | P沟道 50V 1A | BSP315P和BSP315的区别 |
| 型号： BSP315PH6327 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET | BSP315P和BSP315PH6327的区别 |