BSP220,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BSP220,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids -225 mA
输入电容Ciss 90pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP220,115引脚图与封装图
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在线购买BSP220,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP220,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP220,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V | 搜索库存 |
替代型号BSP220,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP220,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 P-Channel -200V -225mA | 当前型号 | NXP BSP220,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V | 当前型号 |
| 型号： BSP220 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 P-CH 200V 0.225A | 功能相似 | BSP220 P沟道MOS场效应管 -200V -225mA 10ohm SOT-223 marking/标记 BSP220 高速开关 无二次击穿 | BSP220,115和BSP220的区别 |
| 型号： BSP92 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | SIPMOS Small-Signal Transistor P channel Enhancement mode Logic Level | BSP220,115和BSP92的区别 |