BSS225 L6327
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Infineon
英飞凌
晶体管
BSS225 L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 90.0 mA
针脚数 3
漏源极电阻 28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 131 pF
栅电荷 5.80 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 90.0 mA
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 131pF @25VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-4
外形尺寸
封装 SOT-89-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSS225 L6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS225 L6327 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSS225 L6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 90 mA, 600 V, 28 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |