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BSR43
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BSR43  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.35 W, 1 A, 100 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 90V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.35W Description & Applications| NPN medium power transistors FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Thick and thin-film circuits • Telephony and general industrial applications. 描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •厚薄膜电路 •电话和一般工业应用。

BSR43中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.35 W

最小电流放大倍数hFE 30

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSR43引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSR43 NXP 恩智浦 NXP  BSR43  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.35 W, 1 A, 100 hFE 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSR43

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-89 NPN

当前型号

NXP  BSR43  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.35 W, 1 A, 100 hFE

当前型号

型号: CXT3019

品牌: Central Semiconductor

封装: SOT-89 NPN

类似代替

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BSR43和CXT3019的区别

型号: BSR43,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT266 NPN 1350mW

功能相似

NXP  BSR43,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.35 W, 1 A, 100 hFE

BSR43和BSR43,115的区别