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BSS192,115

BSS192,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

The is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.

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Direct interface to Complementary C-MOS transistor and Transistor-Transistor Logic TTL devices
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Very fast switching
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No secondary breakdown
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-55 to 150°C Junction temperature range
BSS192,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 12 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids -200 mA

输入电容Ciss 90pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 560mW Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS192,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS192,115 NXP 恩智浦 P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号BSS192,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS192,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-89 P-Channel -240V -200mA

当前型号

P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BSS192,135

品牌: 恩智浦

封装: SOT89 P-Channel 240V 0.2A

类似代替

SOT-89P-CH 240V 0.2A

BSS192,115和BSS192,135的区别

型号: BSS192PH6327FTSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL P-Channel 250V 0.19A

功能相似

INFINEON  BSS192PH6327FTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V

BSS192,115和BSS192PH6327FTSA1的区别

型号: MMBF170

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 40pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

BSS192,115和MMBF170的区别