针脚数 3
漏源极电阻 12 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids -200 mA
输入电容Ciss 90pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 560mW Ta, 12.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSS192,115 | NXP 恩智浦 | P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSS192,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-89 P-Channel -240V -200mA | 当前型号 | P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: BSS192,135 品牌: 恩智浦 封装: SOT89 P-Channel 240V 0.2A | 类似代替 | SOT-89P-CH 240V 0.2A | BSS192,115和BSS192,135的区别 | |
型号: BSS192PH6327FTSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 250V 0.19A | 功能相似 | INFINEON BSS192PH6327FTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V | BSS192,115和BSS192PH6327FTSA1的区别 | |
型号: MMBF170 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 40pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V | BSS192,115和MMBF170的区别 |