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BSS159N E6327

BSS159N E6327

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSS159N E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V

The is a SIPMOS® N-channel depletion-mode MOSFET suitable for power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. With one single component it is possible to realize a simple current regulator.

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Depletion-mode
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dV/dt Rated
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Available with VGSth indicator on the reel
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Halogen-free, Green device
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Qualified according to AEC-Q101
BSS159N E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 130 mA

针脚数 3

漏源极电阻 1.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 2.8 V

输入电容 44.0 pF

栅电荷 2.90 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 130 mA

输入电容Ciss 44pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, 通信与网络, Communications & Networking, Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS159N E6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS159N E6327 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSS159N E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V 搜索库存
替代型号BSS159N E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSS159N E6327

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 N-Channel 60V 130mA 44pF

当前型号

INFINEON  BSS159N E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V

当前型号

型号： BSS159NH6327XTSA2

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 60V 0.23A

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