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BZT52H-C6V2,115

BZT52H-C6V2,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BZT52H-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

The BZT52H series general-purpose single Zener Diode designed in a SOD123F small plastic surface-mounted device SMD package. It is suitable for general regulation functions.

.
* Low differential resistance
.
2.4 to 75V E24 range Nominal working voltage range
.
AEC-Q101 qualified

得捷:
NEXPERIA BZT52H-C6V2 - ZENER DIO


e络盟:
NXP  BZT52H-C6V2,115.  齐纳二极管, 375mW, 6.2V, SOD-123F


艾睿:
Diode Zener Single 6.2V 6% 830mW Automotive 2-Pin SOD-123F T/R


安富利:
Diode Zener Single 6.2V 6% 830mW 2-Pin SOD-123F T/R


富昌:
BZT52H 系列 6.2 V 250 mA 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123F


Chip1Stop:
Diode Zener Single 6.2V 6% 830mW 2-Pin SOD-123F T/R


Verical:
Diode Zener Single 6.2V 6% 830mW Automotive 2-Pin SOD-123F T/R


Newark:
# NXP  BZT52H-C6V2,115  Zener Single Diode, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 Pins, 150 °C


Win Source:
DIODE ZENER 6.2V 375MW SOD123F


BZT52H-C6V2,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

针脚数 2

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 375 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.2 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 375 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 2.05 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BZT52H-C6V2,115引脚图与封装图
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BZT52H-C6V2,115 NXP 恩智浦 NXP  BZT52H-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZT52H-C6V2,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOD-123F

当前型号

NXP  BZT52H-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

当前型号

型号: BZT52H-B6V2,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT353

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BZT52H-C6V2,115和BZT52H-B6V2,115的区别

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品牌: 安森美

封装: SOD-123 6.2V 6.51V

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