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BZT52H-C4V7,115

BZT52H-C4V7,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BZT52H-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

The BZT52H series general-purpose single Zener Diode designed in a SOD123F small plastic surface-mounted device SMD package. It is suitable for general regulation functions.

.
* Low differential resistance
.
2.4 to 75V E24 range Nominal working voltage range
.
AEC-Q101 qualified

得捷:
NEXPERIA BZT52H-C4V7 - ZENER DIO


e络盟:
NXP  BZT52H-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C


艾睿:
Diode Zener Single 4.7V 6% 830mW Automotive 2-Pin SOD-123F T/R


安富利:
Diode Zener Single 4.7V 6% 830mW 2-Pin SOD-123F T/R


富昌:
BZT52H 系列 4.7 V 375 mW 表面贴装 单 齐纳二极管 - SOD123F


Chip1Stop:
Diode Zener Single 4.7V 6% 830mW 2-Pin SOD-123F T/R


Verical:
Diode Zener Single 4.7V 6% 830mW Automotive 2-Pin SOD-123F T/R


Newark:
# NXP  BZT52H-C4V7,115  Zener Single Diode, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2, 150 C


Win Source:
DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F


BZT52H-C4V7,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

针脚数 2

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 375 mW

测试电流 5 mA

稳压值 4.7 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 375 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

高度 1.2 mm

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 -1.65 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BZT52H-C4V7,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BZT52H-C4V7,115 NXP 恩智浦 NXP  BZT52H-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C 搜索库存
替代型号BZT52H-C4V7,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZT52H-C4V7,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOD-123F

当前型号

NXP  BZT52H-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

当前型号

型号: BZT52H-B5V1,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT353

类似代替

NXP  BZT52H-B5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

BZT52H-C4V7,115和BZT52H-B5V1,115的区别

型号: BZT52H-B4V7,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT353

类似代替

SOD-123F 4.7V 830mW

BZT52H-C4V7,115和BZT52H-B4V7,115的区别