BLP7G22-10,135

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 12Pin HVSON EP T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 110mA 700MHz ~ 2.2GHz 27dB 2W 12-HVSON 6x5

得捷:
TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP T/R

BLP7G22-10,135中文资料参数规格

技术参数

频率 700MHz ~ 2.2GHz

输出功率 2 W

增益 27 dB

测试电流 110 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 12

封装 VDFN-12

外形尺寸

封装 VDFN-12

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP7G22-10,135引脚图与封装图

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BLP7G22-10,135	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 65V 12Pin HVSON EP T/R	搜索库存