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高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 125V 50A 300W Through Hole TO-3


得捷:
TRANS NPN 125V 50A TO3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 125V 3-Pin2+Tab TO-3


BUT100中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 125 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

BUT100引脚图与封装图
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