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BZW50-68B

STMICROELECTRONICS  BZW50-68B  TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚

Transil™ TVS 轴向双向 5000W,STMicroelectronics


得捷:
TVS DIODE 68VWM 157VC R6


欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW50-68B 双向, 5000W, 157V, 2针 R 6封装


立创商城:
BZW50 68B


e络盟:
TVS二极管, BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚


艾睿:
This BZW50-68B TVS diode from STMicroelectronics protects against overvoltages. Its test current is 1 mA. This device&s;s maximum clamping voltage is 157 V and minimum breakdown voltage is 75.6 V. Its maximum leakage current is 5 μA. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BZW50-68B  TVS Diode, Transil BZW50 Series, Bidirectional, 68 V, 121 V, Axial Leaded, 2 Pins


Win Source:
TVS DIODE 68VWM 157VC R6 / 157V Clamp 382A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole R-6


BZW50-68B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 68.0 V

额定功率 5.00 kW

击穿电压 75.6 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 6.5 W

钳位电压 121 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 75.6 V

脉冲峰值功率 5000 W

最小反向击穿电压 75.6 V

击穿电压 75.6 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 R-6

外形尺寸

长度 9.1 mm

直径 9.10 mm

封装 R-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 通用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BZW50-68B引脚图与封装图
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在线购买BZW50-68B
型号 制造商 描述 购买
BZW50-68B ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  BZW50-68B  TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚 搜索库存
替代型号BZW50-68B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZW50-68B

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: 68V 5kW

当前型号

STMICROELECTRONICS  BZW50-68B  TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚

当前型号

型号: BZW50-68BRL

品牌: 意法半导体

封装:

功能相似

68V 5000W

BZW50-68B和BZW50-68BRL的区别