BUX10中文资料参数规格
技术参数
频率 8 MHz
额定电压DC 125 V
额定电流 25.0 A
额定功率 150 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 125 V
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 2V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 150 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
长度 39.5 mm
宽度 26.2 mm
高度 8.7 mm
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BUX10引脚图与封装图 
BUX10引脚图
BUX10封装图
BUX10封装焊盘图
在线购买BUX10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUX10 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS BUX10 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 150 W, 25 A, 10 hFE | 搜索库存 |
替代型号BUX10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUX10 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-3 NPN 125V 25A 150W | 当前型号 | STMICROELECTRONICS BUX10 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 150 W, 25 A, 10 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJ15001G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 140V 15A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJ15001G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 140 V, 2 MHz, 200 mW, 15 A, 25 hFE | BUX10和MJ15001G的区别 |