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BTS282ZE3180ANTMA1

BTS282ZE3180ANTMA1

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

TO-220 N-CH 49V 80A

N-Channel 49 V 80A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-7-1


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
BTS282ZE3180ANTMA1


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this BTS282ZE3180ANTMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 300000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -40 °C to 175 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin7+Tab TO-220 SMD T/R


BTS282ZE3180ANTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 49 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 3850pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

BTS282ZE3180ANTMA1引脚图与封装图
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