BUK9E6R1-100E,127

NXP(恩智浦) 分立器件

I2PAK N-CH 100V 120A

N-Channel 100V 120A Tc 349W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

BUK9E6R1-100E,127中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 349W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 17460pF @25VVds

额定功率Max 349 W

耗散功率Max 349W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

BUK9E6R1-100E,127引脚图与封装图

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