BUK9E2R3-40E,127

NXP(恩智浦) 分立器件

I2PAK N-CH 40V 120A

N-Channel 40V 120A Tc 293W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

BUK9E2R3-40E,127中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 293W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 13160pF @25VVds

额定功率Max 293 W

耗散功率Max 293W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

BUK9E2R3-40E,127引脚图与封装图

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替代型号BUK9E2R3-40E,127

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BUK9E2R3-40E,127 品牌： NXP 恩智浦封装： I2PAK N-CH 40V 120A	当前型号	I2PAK N-CH 40V 120A	当前型号
型号： BUK7E2R3-40E,127 品牌：恩智浦封装： SOT226 N-CH 40V 120A	类似代替	I2PAK N-CH 40V 120A	BUK9E2R3-40E,127和BUK7E2R3-40E,127的区别
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