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BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 250 V 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TSDSON-8


得捷:
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON


欧时:
Infineon MOSFET BSZ16DN25NS3GATMA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R


BSZ16DN25NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 62.5 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.146 Ω

极性 N-CH

耗散功率 62.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 10.9A

上升时间 4 ns

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 REEL

外形尺寸

封装 REEL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ16DN25NS3GATMA1引脚图与封装图
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BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存