BC141-10中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 650 mW
耗散功率Max 4000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC141-10引脚图与封装图
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在线购买BC141-10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC141-10 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-39 | 搜索库存 |
替代型号BC141-10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC141-10 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39-3 4000mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： BC141 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 通用晶体管 GENERAL PURPOSE TRANSISTORS | BC141-10和BC141的区别 |