锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSP129H6906XTSA1

BSP129H6906XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


得捷:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4


贸泽:
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BSP129H6906XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 4.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 0.35A

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 82pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSP129H6906XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP129H6906XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP129H6906XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存