BUJD203AD,118

NXP 恩智浦分立器件

Trans GP BJT NPN 425V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 425 V 4 A 80 W Surface Mount DPAK

得捷:
NOW WEEN - BUJD203AD - POWER BIP

艾睿:
Trans GP BJT NPN 425V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 425V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
TRANS NPN 425V 4A DPAK-3

BUJD203AD,118中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 425 V

最小电流放大倍数hFE 11 @2A, 5V

额定功率Max 80 W

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUJD203AD,118引脚图与封装图

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