BSC030N03LSGATMA1
数据手册.pdfINFINEON BSC030N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03LSGATMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC030N03LSGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8