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BFP540ESDH6327XTSA1

BFP540ESDH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFP540ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE

射频双极,


欧时:
Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=10 V, HFE:50, 30 GHz, 4引脚 SOT-343封装


得捷:
RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4


贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Newark:
# INFINEON  BFP540ESDH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50


Win Source:
TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343


BFP540ESDH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 250 mW

输入电容 0.59 pF

击穿电压集电极-发射极 5 V

增益 21.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 3.5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFP540ESDH6327XTSA1引脚图与封装图
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BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFP540ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE 搜索库存