BFP620H7764XTSA1
数据手册.pdfINFINEON BFP620H7764XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
SiGe 射频双极，
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
得捷:
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4
欧时:
Infineon BFP620H7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=2.3 V, HFE:110, 4引脚 SOT-343封装
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
艾睿:
The BFP620H7764XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies can provide you an alternative to traditional BJTs in that it can work with higher radio frequencies. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 2.3V 0.08A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Newark:
# INFINEON BFP620H7764XTSA1 Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110
Win Source:
TRANS RF NPN 2.3V 80MA SOT343