BFP740H6327XTSA1
数据手册.pdfINFINEON BFP740H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
SiGe 射频双极，
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
欧时:
Infineon BFP740H6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 4引脚 SOT-343封装
贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
艾睿:
Thanks to Infineon Technologies and their BFP740H6327XTSA1 RF bi-polar junction transistor, you can implement transistors in your high frequency circuits. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Newark:
# INFINEON BFP740H6327XTSA1 RF BIP TRANSISTORS New
Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343