BFP450H6433XTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP450H6433XTMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
输入电容 1.7 pF
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 15.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @50mA, 4V
额定功率Max 450 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343-4
外形尺寸
封装 SOT-343-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BFP450H6433XTMA1引脚图与封装图
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在线购买BFP450H6433XTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP450H6433XTMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 0.5W1/2W Automotive 4Pin3+Tab SOT-343 T/R | 搜索库存 |
替代型号BFP450H6433XTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFP450H6433XTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SC-82A 500mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 0.5W1/2W Automotive 4Pin3+Tab SOT-343 T/R | 当前型号 |
| 型号： BFP450H6327XTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SC-82A 500mW | 完全替代 | INFINEON BFP450H6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 4.5V, 100MA, SOT-343 | BFP450H6433XTMA1和BFP450H6327XTSA1的区别 |