BDP950H6327XTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BDP950H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

通用 PNP ，

欧时:
Infineon BDP950H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

得捷:
TRANS PNP 60V 3A SOT223-4

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223

安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R

TME:
Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 5W; SOT223

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
TRANS PNP 60V 3A SOT223

BDP950H6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BDP950H6327XTSA1引脚图与封装图

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