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BSC057N03MSGATMA1

BSC057N03MSGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 30V 15A 71A

表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8-5


得捷:
MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON


立创商城:
N沟道 30V 71A 15A


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


艾睿:
This BSC057N03MSGATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8


BSC057N03MSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 45 W

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 2300 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 6.6 ns

输入电容Ciss 3100pF @15VVds

下降时间 6.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.49 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSC057N03MSGATMA1引脚图与封装图
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