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BSC0904NSIATMA1

BSC0904NSIATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC0904NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 V

BSC0904NSI, SP000854384


欧时:
Infineon BSC0904NSIATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON


立创商城:
N沟道 30V 20A 78A


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC0904NSIATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 V


BSC0904NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 37 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 37 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 1100pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC0904NSIATMA1引脚图与封装图
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BSC0904NSIATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC0904NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存