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BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSO220N03MDGXUMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.0183 ohm, 10 V, 2.1 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO220N03MDGXUMA1, 7.7 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO


立创商城:
2个N沟道 30V 6A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R


Newark:
# INFINEON  BSO220N03MDGXUMA1  Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 30 V, 0.0183 ohm, 10 V, 2.1 V


BSO220N03MDGXUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.56 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0183 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 600pF @15VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, Onboard charger, Mainboard, 通信与网络, VRD/VRM, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSO220N03MDGXUMA1引脚图与封装图
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BSO220N03MDGXUMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSO220N03MDGXUMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.0183 ohm, 10 V, 2.1 V 搜索库存