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BDP947H6327XTSA1

BDP947H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-223 NPN 45V 3A

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the BJT, developed by Technologies, is for you.


得捷:
TRANS NPN 45V 3A SOT223-4


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 5W; SOT223


Newark:
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BDP947H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 5 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 1V

额定功率Max 5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BDP947H6327XTSA1引脚图与封装图
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