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BFS481H6327XTSA1

BFS481H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFS481H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE

射频双极,


得捷:
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6


欧时:
Infineon BFS481H6327XTSA1, 双 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


e络盟:
晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
# INFINEON  BFS481H6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70


Win Source:
TRANS RF NPN 12V 20MA SOT363


BFS481H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 175 mW

输入电容 0.4 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 20 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 8V

额定功率Max 175 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 175 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFS481H6327XTSA1引脚图与封装图
BFS481H6327XTSA1引脚图

BFS481H6327XTSA1引脚图

BFS481H6327XTSA1封装图

BFS481H6327XTSA1封装图

BFS481H6327XTSA1封装焊盘图

BFS481H6327XTSA1封装焊盘图

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BFS481H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFS481H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE 搜索库存