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BD682STU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
BD682STU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -4.00 A

额定功率 14 W

极性 PNP

耗散功率 14 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 14 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 14 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD682STU引脚图与封装图
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在线购买BD682STU
型号 制造商 描述 购买
BD682STU Fairchild 飞兆/仙童 Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号BD682STU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD682STU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 PNP -100V -4A 14000mW

当前型号

Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: BD682G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 PNP -100V 4A 40000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

BD682STU和BD682G的区别

型号: BD682

品牌: 意法半导体

封装: TO-225AA -100V -4A 40000mW

功能相似

BD6xxx 系列 PNP 80 V 4 A 互补功率达林顿晶体管 - SOT-32

BD682STU和BD682的区别