
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -4.00 A
额定功率 14 W
极性 PNP
耗散功率 14 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V
额定功率Max 14 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 14000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BD678AS 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 PNP -60V -4A 14000mW | 当前型号 | 达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil | 当前型号 | |
型号: MJE700G 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 PNP -60V -4A 40000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJE700G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | BD678AS和MJE700G的区别 | |
型号: BD678 品牌: 意法半导体 封装: SOT-32 P-Channel -60V -4A 40000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD678 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | BD678AS和BD678的区别 | |
型号: BD678AG 品牌: 安森美 封装: TO-225 PNP -60V 4A 40000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD678AG. 双极性晶体管 | BD678AS和BD678AG的区别 |