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BFP840FESDH6327XTSA1

BFP840FESDH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFP840FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

RF NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW 表面贴装型 PG-TSFP-4-1


欧时:
RF Transistor 6GHz LowNoise SiGe SOT-343


得捷:
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP


贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE


艾睿:
Operating at higher RF frequencies has never been easier with this specially designed BFP840FESDH6327XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R


Chip1Stop:
Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 4-Pin TSFP T/R


Verical:
Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 4-Pin TSFP T/R


BFP840FESDH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 75 mW

输入电容 0.37 pF

击穿电压集电极-发射极 2.6 V

增益 35 dB

最小电流放大倍数hFE 150 @10mA, 1.8V

额定功率Max 75 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, 3G/4G UMTS/LTE mobile phone applications, ISM applications like RKE, AMR and Zigbee, as well as for emerging wireless applications, 无线, Wireless, Multimedia appl, Power Management, Satellite communication systems: Navigation systems GPS, Glonass, satellite radio SDARs, DAB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFP840FESDH6327XTSA1引脚图与封装图
BFP840FESDH6327XTSA1引脚图

BFP840FESDH6327XTSA1引脚图

BFP840FESDH6327XTSA1封装焊盘图

BFP840FESDH6327XTSA1封装焊盘图

在线购买BFP840FESDH6327XTSA1
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BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFP840FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE 搜索库存