BCV63B,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BCV63B,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 30V, 6V
集电极最大允许电流 0.1A
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
封装 TO-253-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCV63B,215引脚图与封装图
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在线购买BCV63B,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCV63B,215 | NXP 恩智浦 | SOT-143B NPN 30V/6V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BCV63B,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCV63B,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-253-4 NPN | 当前型号 | SOT-143B NPN 30V/6V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCV63,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-253-4 NPN 250mW | 完全替代 | SOT-143B NPN 30V/6V 0.1A | BCV63B,215和BCV63,215的区别 |
| 型号： BCV63 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN通用双晶体管 NPN general purpose double transistors | BCV63B,215和BCV63的区别 |
| 型号： BCV63B 品牌： 恩智浦 封装： SOT NPN | 类似代替 | NPN通用双晶体管 NPN general purpose double transistors | BCV63B,215和BCV63B的区别 |