BZD27C51P-HE3-18中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 51.0 V
正向电压 1.2V @200mA
稳压值 51 V
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C51P-HE3-18引脚图与封装图
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在线购买BZD27C51P-HE3-18
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZD27C51P-HE3-18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 51V 6% 800mW Automotive 2Pin SMF T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C51P-HE3-18
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZD27C51P-HE3-18 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-219 51V | 当前型号 | Diode Zener Single 51V 6% 800mW Automotive 2Pin SMF T/R | 当前型号 | |
型号: BZD27C51P-HE3-08 品牌: 威世 封装: DO-219 51V | 类似代替 | 稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3 | BZD27C51P-HE3-18和BZD27C51P-HE3-08的区别 |