BSR31,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSR31,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 1.35 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSR31,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSR31,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSR31,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-243AA PNP 1350mW | 当前型号 | SOT-89 PNP 60V 1A | 当前型号 |
| 型号： BSR31,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89-3 PNP | 完全替代 | SOT-89 PNP 60V 1A | BSR31,115和BSR31,135的区别 |
| 型号： BSR43,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT266 NPN 1350mW | 功能相似 | NXP BSR43,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.35 W, 1 A, 100 hFE | BSR31,115和BSR43,115的区别 |