BZD27C4V7P-HE3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 4.70 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 100 mA
稳压值 4.7 V
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C4V7P-HE3-08引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C4V7P-HE3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 4.7V 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |