![BZD27C36P-HE3-08](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_38/chanpintu/bzd27c36p-he3-08-TdS1hV0Y-zq7D3QN3o.png)
BZD27C36P-HE3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 36.0 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 10 mA
稳压值 36 V
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C36P-HE3-08引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZD27C36P-HE3-08
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BZD27C36P-HE3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 36V 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C36P-HE3-08
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BZD27C36P-HE3-08 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-219 36V | 当前型号 | Diode Zener Single 36V 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 当前型号 | |
型号: BZD27C36P-HE3-18 品牌: 威世 封装: DO-219 36V | 完全替代 | Diode Zener Single 36V 6% 800mW Automotive 2Pin SMF T/R | BZD27C36P-HE3-08和BZD27C36P-HE3-18的区别 |