BZD27C3V9P-HE3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 3.90 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 2.3 W
测试电流 100 mA
稳压值 3.9 V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.9 mm
高度 1.08 mm
封装 DO-219AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C3V9P-HE3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C3V9P-HE3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C3V9P-HE3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | 稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3 | 搜索库存 |