BZD27C8V2P-HE3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 8.20 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 100 mA
稳压值 8.2 V
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C8V2P-HE3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C8V2P-HE3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C8V2P-HE3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 8.2V 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C8V2P-HE3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： BZD27C8V2P-HE3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 8.2V | 当前型号 | Diode Zener Single 8.2V 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 当前型号 |