BZD27C36P-E3-18中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 36.0 V
正向电压 1.2V @200mA
稳压值 36 V
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C36P-E3-18引脚图与封装图
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在线购买BZD27C36P-E3-18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C36P-E3-18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 36V 6% 800mW 2Pin SMF T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C36P-E3-18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C36P-E3-18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 36V | 当前型号 | Diode Zener Single 36V 6% 800mW 2Pin SMF T/R | 当前型号 |
| 型号： BZD27C36P-E3-08 品牌： 威世 封装： DO-219AB 36V | 类似代替 | VISHAY BZD27C36P-E3-08 单管二极管 齐纳, BZD, 36 V, 800 mW, DO-219AB, 5 %, 2 引脚, 150 °C | BZD27C36P-E3-18和BZD27C36P-E3-08的区别 |