BZD27C12P-HE3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 12.0 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 50 mA
稳压值 12 V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.9 mm
高度 1.08 mm
封装 DO-219AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C12P-HE3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C12P-HE3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C12P-HE3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | 稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3 | 搜索库存 |
替代型号BZD27C12P-HE3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C12P-HE3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219AB-2 12V | 当前型号 | 稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3 | 当前型号 |