
BZD27C8V2P-E3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 8.20 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 100 mA
稳压值 8.2 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C8V2P-E3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C8V2P-E3-08
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZD27C8V2P-E3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZD27C8V2P-E3-08 Zener Single Diode, 8.2V, 800mW, DO-219AB, 2Pins, 150℃ | 搜索库存 |